导言
网吧服务器是网吧运营的核心设备，负责提供网络游戏、娱乐、办公等服务。服务器的寿命直接关系到网吧的正常运营和盈利能力。因此，准确评估服务器寿命对于网吧运营商来说至关重要。本文将从硬件老化和性能衰退两个方面，全面分析网吧服务器的寿命评估。
硬件老化
服务器硬件由各种组件组成，包括 CPU、内存、存储设备、主板、电源等。随着时间的推移，这些组件会经历自然的老化过程，导致其性能下降或故障率上升。
1. CPU 老化
CPU 是服务器的核心部件，负责处理数据和执行指令。随着使用时间的增长，CPU 的时钟频率和缓存容量会逐渐下降，导致处理速度变慢。CPU 散热风扇也会随着使用时间的增加而老化，导致散热效率降低，从而增加收集用户反馈，了解服务器在实际使用中的性能表现。如果用户普遍反映服务器响应速度慢、游戏卡顿等问题，表明服务器性能可能已经不足，需要及时采取措施。
延长服务器寿命的方法
为了延长网吧服务器的寿命，可以采取以下措施：
1. 定期维护
定期清洁服务器机箱，更换风扇，备份数据，更新固件等维护工作，可以减少硬件故障的发生。
2. 负载均衡
通过负载均衡技术，将用户请求分配到多台服务器上，可以减轻单台服务器的负载压力，延长服务器寿命。
3. 硬件升级
当服务器硬件老化或性能衰退时，可以考虑进行硬件升级，如更换 CPU、增加内存、更换存储设备等，以提升服务器性能和延长其寿命。
4. 虚拟化
虚拟化技术可以将一台物理服务器虚拟化为多台虚拟服务器，从而提高服务器的利用率和灵活性。虚拟化还能通过资源隔离和快照功能，保护服务器免受故障和数据丢失的影响，从而延长其寿命。
结论
网吧服务器的寿命是由硬件老化和性能衰退共同决定的。通过定期监测硬件健康状况、进行性能测试、收集用户反馈，并采取适当的延长寿命措施，网吧运营商可以准确评估服务器寿命，确保网吧的正常运营和盈利能力。
惠普中低端的服务器和其它厂家相比有那些优势？
惠普服务器产品的品质与多样性受到中小企业个人用户的爱戴，面对其他厂家的竞争，惠普中低端服务器的优势体现在哪些地方呢？一、产品优势对比1、产品线对比 惠普是世界顶级服务器厂商，其服务器产品线非常庞大，数量高达150余款；产品系列分类也十分复杂，分成五个大系列。
其中ProLiant是惠普通服务器产品线中一个最大系列，所有产品均属于工业标准服务器类型，特别适用于中小企业选用。
为了便于用户用户选择，ProLiant系列服务器按工业标准又分成三个小系列，分别是ProLiant ML服务器系列、ProLiant DL服务器系列、ProLiant BL刀片服务器系列。
想比IBM与惠普，戴尔的产品数量分布较少，且全部集中在IA构架产品上。
即使是产品数量分布，IBM也劣逊于惠普，就主流产品面向我国市场的多达百款以上，两倍多于戴尔的。
这就是为什么惠普受用户拥戴的原因之一，基本上中小企业在ProLiant系列上都能找到适用于自己企业应用的产品。
我们下面所讨论的惠普与戴尔的对决，其实是以惠普旗下的ProLiant服务器一个大的系列与戴尔的服务器产品的对抗。
2、产品特点产品是竞争的基础，清晰完整的产品线才能便于用户了解自己的产品信息，以ProLiant系列服务器分成的ML、DL、BL三类产品。
ML是塔式服务器，通过转换支架可转化成机架式的服务器，ML系列服务器具有较大的机箱尺寸，因此其内部扩展能力较强；DL系列服务器是机柜优化服务器，特点是机箱尺寸比较小巧，在机柜中可以同时放置多台服务器，从而获得更高的处理能力；BL系列服务器是我们常说的刀片式服务器。
不仅如此，惠普本身具有很强技术开发实力，与其产品特点构成惠普在整个服务器市场竞争的资本，是占据市场领先优势的有力保证。
3、产品价格对比由于HP的服务器销量大，所以整个制造成本降低了，HP把这部分成本让利给客户，从售价上可以看出，在中低端市场，同样配置的HP的服务器与国内厂家相比市场价格几乎完全相等，要知道HP是国际性厂家，很多零配件是进口的。
能够和国内厂商的售价相当是因为产量大，才降低了制造成本。
比如，同样配置的HP ML150就和国产服务器的价位差不多。
但是品牌的差异却远远不止这些。
二、产品对比以机架式服务器作为高低端服务器的分水岭，在这里我们开始发现惠普惊人的技术研发实力。
首先有2U外型提供可扩展性能的两款4路服务器HroLiant DL560和DL580 G2，这是专门为需要多用途的机架优化外形、最大的计算能力和强大的高可用性特性的环境量身定制。
还有采用惠普自行开放的F8芯片组的4U高性能8路服务器产品DL740和DL760 G2。
这些无疑都代表着惠普真正实力的技术。
机架优化式以其集群技术密集型高端性能满足企业复杂的多任务应用，针对最苛刻的企业需求提供强大的计算解决方案。
因此，价格再也不能衡量服务器，只有厂商本身强大自主的技术开发实力才是最有效的衡量方式，最有力的保证。
三、售后服务对比惠普的售后服务向来以金牌服务著称。
提供了更完善的服务等级，易于购买和使用。
种类完善的服务级别可以来帮助用户充分利用服务器投资，从而为用户超出一般标准保修服务的升级服务。
分别有HP增强服务、HP4小时增强服务、HP关键业务支持服务以及HP专人服务。
不过上面这些服务更多的面向企业级用户，低端的ProLiant和IA-32服务器产品并没有受到如此厚戴。
确实，高额的服务费用中小企业难以承当。
面向低端产品，惠普推出的系列服务主要是“第2工作日上门响应服务 ”、“工作时间4小时到场服务(5×9×4) ”、“工作时间4小时到场服务(7×24×4) ”，具体可去惠普官方网站查询。
四、厂商介绍HP是面向个人用户、大中小型企业和研究机构的全球技术解决方案提供商。
HP提供的产品涵盖了IT基础设施、全球服务、商用和家用计算以及打印和成像等领域。
在截止至2005年1月31日的过去的四个财季中，HP的营业额达818亿美元。
1939年，在美国加州Palo Alto市，爱迪生大街367号，一间狭窄的车库里，两位年轻的发明家比尔.休利特(Bill Hewlett)和戴维.帕卡德(Dave Packard)，怀着对未来技术发展的美好憧憬和发明创造的激情，开始了硅谷的创新之路。
今天，惠普公司的资金，技术，信息，服务和解决方案均在同行业中处于领先地位，惠普公司拥有最全面的IT产品线，产品涵盖了计算机及成像设备的产品服务和技术支持，惠普打印机、服务器、个人电脑等产品均处于全球领先地位。
客户遍及电信、金融、政府、交通、运输、能源、航天、电子、制造和教育等部门。
1985年，中国惠普有限公司成立，是中国第一家高科技技术合资企业，在中国已投资成立8家分公司，27家支持服务办事处以及9家独资和合资企业，建立了30个支持服务中心，为中国客户提供全方位的服务与支持。
锂电池一般能用几年
锂电池一般能用几年
锂电池一般能用几年？相信大家对锂电池并不陌生，绝大部分的手机电池用的都是锂电池，锂电池的寿命也是我们所好奇的。
接下来就由我带大家了解锂电池一般能用几年的相关内容。
锂电池一般能用几年1
锂电池寿命是不按年数来算，而是按周期来算的。
锂电池的寿命是“500次”，指的不是充电的次数，而是一个充放电的周期。
现在手机都采用是锂电池，大部分锂电池循环次数一般在500次左右，就是说从0-100为一次循环（周期满100为一次循环） ，当到500次后手机电池就已经衰弱，电池内阻变大，内部的化学元素活性降低，进入快速消耗阶段。
大家都有过这种经历，一部很老的手机满电打一个电话后就关机了，这种就可以理解 电池已经用完了。
扩展资料：
一个充电周期意味着电池的所有电量由满用到空，再由空充到满的过程，这并不等同于充一次电。
比如说，一块锂电在第一天只用了一半的电量，然后又为它充满电。
如果第二天还如此，即用一半就充，总共两次充电下来，这只能算作一个充电周期，而不是两个。
因此，通常可能要经过好几次充电才完成一个周期。
每完成一个充电周期，电池容量就会减少一点。
不过，这个电量减少幅度非常小，高品质的电池充过多次周期后，仍然会保留原始容量的 80%，很多锂电供电产品在经过两三年后仍然照常使用。
锂电池一般能用几年2
锂离子电池循环寿命影响因素分析
1、锂离子电池结构及原理简介
锂离子电池主要由正负极材料、电解液、隔膜、集流体和电池外壳组成，正负极材料由两种不同的锂离子嵌入化合物组成。
充电时，锂离子从正极上脱嵌下来通过电解液经隔膜嵌入负极，放电时则相反。
在锂离子电池首次充放电过程中，负极和电解液的相界面上能够形成一层钝化膜。
它在电极与电解液之间起到隔膜作用，是电子绝缘体却是锂离子的优良导体，锂离子可以经过该钝化层自由地嵌入和脱出，具有固体电解质的特性，因此这层钝化膜被称为“固体电解质界面膜”(solidel ectrolyte interface)，简称SEI膜。
锂离子电池充放电电极反应为：
2、设计和制造工艺的影响
在电池设计过程中，材料的选择是最重要的因素。
不同的材料性能特性不同，所研发的电池性能也有差距。
正负极材料匹配的循环性能好，电池的循环寿命才会长。
在配料方面，要注意正、负材料的添加量。
一般来说，设计装配过程中一般要求负极容量相对正极过量一些，如果不过量，在充电过程中负极会析出锂，形成锂枝晶从而影响安全性。
负极相对正极过量太多，正极可能过度脱锂，造成结构坍塌。
电解液在电池可逆容量的影响上也是十分重要的因素。
电极材料脱、嵌锂离子的过程始终是与电解液相互作用的过程，这种相互作用对电极材料的界面状况和内部结构的变化有重要影响。
在与正负极材料相互作用的过程中电解液会损耗，另外在电池化成形成SEI膜和预充电时，也会消耗部分电解液，因此电解液的种类和注液量也影响着电池寿命。
锂离子电池的制造工艺流程主要包括：正负极配料、涂布、制片、卷绕、入壳、注液、封口、化成等。
在电池生产过程中，对每一步的流程都要求非常严格。
任何一个流程没有控制好都有可能影响电池循环性能。
在正负极配料过程中，应注意粘结剂的添加量、搅拌速度、浆料的浓度、温湿度，并保证物料能够分散均匀。
在涂布过程中，在保证电池高比能量前提下，合理控制正(负)极涂覆量，适当减小电极厚度有利于降低电池衰减速率。
涂布后的极片还要用辊压机进一步压实，合适的正极压实密度可以增大电池的放电容量，减小内阻，减小极化损失，延长电池的循环寿命。
卷绕时，卷成的电芯应紧密、不松散。
隔膜和正负极卷得越紧，内阻越小，但卷得过紧时会造成极片与隔膜湿润困难，致使放电容量变小；卷得太松会使极片在充放过程中发生过度膨胀，增大了内阻，降低了容量，缩短了循环寿命。
3、电池材料老化衰退的影响
锂离子电池充放电循环的过程即为锂离子通过电解液在正负极材料之间来回脱嵌、移动的过程。
在锂离子电池循环过程中，除在正负极发生氧化还原反应外，还存在大量副反应。
如果能将锂离子电池的副反应降至低水平，使锂离子通过电解液始终能顺畅地往返于正负极材料之间，就能使锂离子电池的循环寿命得以增加。
锂离子从正极移动到负极必然经过覆盖在碳负极上的SEI膜，SEI膜的好坏直接影响电池的循环寿命。
国外学者对电池材料老化衰退的研究比较早，特别是对SEI膜的研究比较深入。
主要的研究方法是通过电池寿命实验数据并结合电化学表征手段来分析电池材料的稳定性和衰退机制。
SEI膜的稳定性对电池的稳定性有重要影响。
SEI膜不稳定容易析出锂金属，会导致负极活性材料快速衰退，形成稳定SEI膜的锂电池可以在高温条件下储存超过4年。
等拆解循环后的钴酸锂电池，通过SEM、XRD等实验对正负极片进行分析，将容量衰退主要归因于负极SEI膜持续消耗Li+以及正极LiCoO2和HF形成的LiF界面膜等不可逆的副反应。
等通过描述充放电循环过程中负极SEI膜持续增长引起的锂离子损失的过程，建立了容量衰退模型。
等建立了包含溶剂的扩散和SEI膜的增长机制的容量衰退模型，并得出容量衰退与SEI膜厚度以及电池老化时间呈线性关系。
黄海江对进行了200次充放电循环的铝塑膜锂离子电池进行了研究，结果表明：电池放电容量逐渐降低、内阻和厚度逐渐增大。
对不同循环次数的电池拆解后用实验观察显示：200次循环后正极表面出现很多裂纹，平均粒度下降；负极显示SEI膜变厚，并在循环末期有锂和锂化合物的沉淀。
锂离子的脱出与嵌入会引起会产生晶格内应力，在这种内应力疲劳作用下，LiCoO2形成裂纹最终颗粒尺寸下降。
等对电池内部材料随充放电循环的老化机理进行了深入分析，综述了电极材料晶体结构的稳定性、活性材料与电解液的界面副反应和粘结剂性能下降等因素都会对电池容量和功率性能产生影响，并对正负极老化的原因及影响进行了总结。
对于负极材料，除由于SEI膜的生成、生长使阳极组分间的接触变差导致阻抗的升高的因素外，主要因素有：溶剂嵌入C极产生气体导致C颗粒破裂、循环中体积的变化引起的活性物质颗粒间接触变差、析出的锂金属与电解液反应加速老化等。
对于正极材料老化衰退的原因和影响如图1所示。
图1正极材料老化的原因和影响
常见的电解液的组成成分为溶剂（常用的为烷基碳酸酯类，如EC、DEC、DMC等）、锂盐（常用的是LiPF6、LiBF4等）和各种添加剂。
正负极材料脱、嵌锂离子的过程始终与电解液相互作用，复杂的氧化还原反应会因为这种作用在界面上发生，甚至会产生气体或固体产物从而使电解液发生损耗。
气体会增加电池的内部压力导致电池变形，固体产物会在电极表面形成钝化膜从而引起电池极化增大而降低电池的输出电压。
这些因素都会对电池容量和安全产生不良的影响，最终影响电池的循环寿命。
添加添加剂能有效改善锂离子蓄电池的循环性能，例如在EC/DEC溶剂体系中加入微量添加剂苯甲醚。
正负极集流体的性质也会影响电池的容量和循环寿命。
锂离子电池正、负极常用的集流体材料分别为铝和铜，二者都是易腐蚀的金属材料。
集流体被腐蚀后形成钝化膜、粘附性差、局部腐蚀（点蚀）和全面腐蚀都会使电池内阻增加，导致容量损失和放电效率降低。
可通过酸-碱浸蚀、导电包覆等预处理方法增强其粘附性和耐腐蚀性。
4、电池使用环境的影响
锂离子电池的使用环境对其循环寿命影响也是非常重要的。
其中，环境温度是十分重要的因素。
环境温度过低或过高都会影响锂电池的循环寿命。
陈继涛等研究了C/LiCoO2系锂离子电池在－20℃条件下的充放电性能。
结果显示：电池的放电性能在低温下变差，0.2C放电容量仅为常温容量的77%，1C放电容量仅为0.2C放电容量的4%。
低温下恒压充电时间增加，充电性能也明显恶化。
锂离子电池在低温下放电容量减少的主要原因包括：电解液电导率变差、隔膜的润湿和/或透过性变差、锂离子的迁移速度变慢、电极/电解液界面上电荷转移速率减缓等。
另外，SEI膜的阻抗在低温下会增大，使锂离子通过电极/电解液界面的速度变慢。
其中SEI膜的阻抗增加的原因是：锂离子在低温下从负极脱出较为容易，嵌入较为困难。
充电时金属锂会出现并与电解液发生反应，形成新的SEI膜覆盖在原来的SEI膜上，使电池的阻抗增大从而导致电池的容量下降。
李连兴等对同批锂电池分别在60℃和常温下进行300次充放电循环实验。
初始阶段，60℃条件下电池表现出较高的放电容量。
但随着循环的进行，电池容量衰减加快，循环稳定性降低，后期甚至有电池发生鼓胀现象。
高温下锂离子电池的充放电循环是不稳定，高温导致电池的电极电化学极化加剧和气体的产生，造成鼓胀现象，同时电荷传输电阻增加，离子传输动力学性能降低。
目前锂离子电池大多用LiPF6作为电解液，由于电解液的不纯或微量水催化分解导电盐，电解液中含有一定酸性物质HF。
HF会与SEI膜中的主要成分ROLi、ROCO2Li等发生反应，生成LiF沉积在负极表面。
含有LiF的SEI膜会阻碍锂离子的迁移。
同时，产生的高阻抗物质会使石墨颗粒之间绝缘隔离。
随着高温充放电的进行，负极性能会逐渐恶化最终导致电池失效。
使用锂离子电池的设备在运输或正常工作的情况下，有可能会经受振动、冲击、碰撞等条件的考验。
某些锂电池在与系统通信时进行充放电并根据一定频率接收数据信息。
设备振动时的频率有可能对电池频率产生干扰，从而引起芯片数据出错或引发保护电路动作。
强振动或冲击下，锂离子电池的极耳、外部的连线、接线柱、焊点等可能会折断或脱落，电池极片上的活性物质也可能剥落，这都会影响电池的寿命甚至产生危险的情况。
5、循环过程中充放电制度的影响
锂离子电池的使用过程即充放电循环的过程，充放电电流的大小、充放电截止电压的选择及采用何种充放电方式等充放电制度对锂离子电池的循环寿命也有很重要的影响。
凡盲目增大电池的工作电流、增加充电截止电压、降低放电截止电压等都会使电池性能下降。
不同电化学体系的锂离子电池的充放电截止电压不同。
在锂离子电池充电过程中凡超过充电截止电压就认为发生了过充电。
等将LiCoO2电池的充电截止电压依次从4.2V设置到4.9V，并对实验后的电极材料进行了X射线衍射和Raman光谱实验，表明石墨负极和钴酸锂正极均发生了结构改变，通过测试不同截止电压充电后的电极不同SOC的熵变曲线，也同样发现电极材料发生了结构改变。
锂离子电池过充时，从正极上脱出的过量的锂离子会沉积或嵌入到负极上，沉积的活性锂易与溶剂反应，放出热量使电池温度升高。
正极受热分解放出氧气使电解液易分解并产生大量的热。
当锂电池的放电电压低于放电截止电压时，就形成了过放电。
在过放电的过程中，锂离子从负极上会过度脱出，下次充电时再嵌入会比较困难。
余钟宝等对以MCMB为负极、LiCoO2为正极的电池过放电到0V时，铜箔集流体遭到比较严重腐蚀，负极SEI膜遭破坏，再次形成的SEI膜性能较差，使负极阻抗增大、极化增强。
电池在过放电以后的循环过程中放电容量、充放电效率大为降低。
李艳等对型锂离子蓄电池在不同倍率下的放电进行了研究。
结果表明电池容量衰减随着充放电倍率的提高几乎成比例的增长。
高倍率循环的LiCoO2/石墨系锂离子蓄电池容量衰减严重。
通过分析得出：容量严重衰减的基本原因是正极材料结构的改变和负极表面膜增厚导致Li+数量的减少及扩散通道阻塞。
在大电流放电情况下，需要离子快速的嵌入、脱出正负极，反应速度很快。
唐致远等通过实验分析认为：由于电池在大电流放电时需要在较短的时间内放出很大的容量，电极反应迅速剧烈，某些锂离子来不及脱嵌或穿越负极材料放电过程就已经结束了。
另外，电池极耳可能会在大电流条件下熔断，设备元件也可能会被损坏。
6、结论
通过分析可知，无论在设计制造还是使用过程中，影响锂离子电池循环寿命的因素是多方面的。
锂离子电池的应用越来越广泛，对锂电池的需求在数量和质量上都提出更高的要求。
循环寿命直接影响锂离子电池的使用时间和品质，因此生产者对其影响因素的研究是十分必要的。
只有在研发和生产过程中将影响循环寿命的各个因素都把握好，企业才能在激烈的市场竞争中占据主动地位。
消费者在使用过程中应注意锂离子电池的特性，根据说明书的提示正确使用电池。
锂电池一般能用几年3
锂电池项目未来的发展潜力怎么样
有需求就会有机会。
需求越大，项目前景越有潜力，特别对于能源有关的产品，比如说锂电池。
2015年锂电池需求占比达47%，到了2016年达到了52%。
而消费型的锂电池的需求占比继续下滑，在2016年大约是42%。
储能型锂电池在光伏分布式使用和移动通讯基站储能电池领域的使用不断扩大。
2016年占比达到6%。
通过这些数据可以看得出来。
锂电池，它的使用领域和占比都是在不断改动的。
未来的前景要点使用应该集中在电动工具，新动力轿车，轻型电动车和动力存储系统等等。
这些领域内的工业规划，在未来几年应该会保持成倍的增加趋势。
一、锂电池的优势导致它不断增加 新动力轿车的大力展开，也带动了锂电池行业的深度展开，动力锂电池在电池份额中不断升高。
因为锂电池和传统电池相比优势比较大，他们在相同体积下锂电池容量更大，出产运用收回进程都愈加的绿色环保。
二、新动力轿车数量的增加，导致锂电池求过于供。
在2017年，中国的电动轿车产值达到65万辆。
到2018年，这个数据仍然在继续上涨。
这一成果直接导致锂电池需求猛增。
特别是新能源锂电池，商场潜力巨大。
三、新技术的整合使用，进步使用率。
跟着新技术的开发与研讨。
石墨烯纳米材料等一些先进的材料设备不断完善和锂离子电池的研发加快融合。
它的使用领域，也越来越广泛
详细介绍一下AMD?
不知道你说的是厂商呢 还是它的产品 都说一下吧说起AMD不能不提它的冤家对头INTER Intel与AMD的竞争似乎从他们成立之初就已经注定。
1968年，Intel公司成立，随后1969年，AMD公司开始正式营业。
两家公司的“斗争”由此开始。
1971年，Intel研制的4004作为第一款微处理器开启了微型计算机发展的大门。
1978年，Intel出产第一颗16位微处理器8086，同时英特尔还生产出与之相配合的数学协处理器i8087,这两种芯片使用相互兼容的指令集。
人们将这些指令集统一称之为 x86指令集，该指令系统沿用至今。
接触电脑比较早的人，一定知道早期的计算机表示方法都是按照X86指令集定义，比如286、386、486。
当时各个公司出品的CPU都是一个名称，只是打的厂牌不同。
在微处理器发展初期，Intel提出的X86体系处理器远没有现在风光，当时IBM和苹果公司都推出了微处理器产品，在结构体系上互不相同，但性能差距不大，当时Intel对于AMD以及当时Cyrix等公司的态度十分微妙。
一方面他们推出的产品和Intel的产品完全兼容，在市场上对其产品销售有一定影响；另一方面，Intel也在借助这些公司的产品稳固X86体系的地位。
在Intel与AMD发展的初期，两家公司还有过鲜为人知的合作关系，为X86体系地位的建立做出了很大贡献，随着286 、386的不断推出，特别是到486的时代，x86体系已经雄霸民用微处理器市场，IBM只有在服务器市场坚守着自己的领地，苹果被限制在了某些专业领域维持其独特的风格。
在这段时间人们对于处理器的品牌概念十分淡漠，当时的消费者只知道购买的的康柏的486或者IBM的486，并不关心处理器的Intel还是AMD。
Intel凭借标准提出者的身份，一直是新产品的首发者，并且在市场份额上保持着老大的地位。
AMD只能跟在对手背后以完全兼容作为生存的标准，更像是一家生产厂，在竞争上也只能以低价作为俄日裔的手段，这也是为什么AMD一直以来跟人的感觉都是一个“高性价比”品牌，其实就是低价产品的美化说法。
被迫改变 1993年，一个值得纪念的年份。
在这一年，Intel一改以往的产品命名方式，对于人们认为该命名为586的产品，注册了独立的商标——Pentium(奔腾)。
此举不仅震惊了市场，更是给了AMD当头一棒，AMD到了必须走一条新路的时刻。
从Pentium(奔腾)开始，Intel的宣传攻势不断加强，当时提出的“Intel Inside”口号，现在已经深入人心，经历了Pentium II(奔腾2)和Pentium III(奔腾3)两代产品，Intel已经成为微处理器市场的霸主，一直同AMD并肩作战的Cyrix公司在Intel的强势下无奈选择下嫁VIA公司，退出了市场竞争。
面对Intel的Pentium(奔腾)系列处理器，AMD在产品上虽有K5、K6等系列对抗，但从性能上一直难与Intel抗衡，只有凭借低廉的价格在低端市场勉强维持生计，眼看着Intel不断扩大其市场占有率。
作为一家科技公司，AMD终于醒悟单纯的价格并不能使其产品得到用户的认可，拥有技术才是关键。
1999年，AMD推出了Athlon系列处理器，一举赢得了业界与消费者的关注，AMD彻底摆脱了自己跟随着的身份，腰身成为敢与Intel争锋的挑战者。
也是在这一年，Intel放弃了使用多年的处理器接口规格，AMD也第一次没有跟随Intel的变化，一直沿用原有接口规格，标志着AMD与Intel的竞争进入了技术时代。
新的开始 从Athlon开始，AMD似乎找到了感觉，接连在技术上与Intel展开竞争，率先进入G时代，无疑是这一段交锋中，AMD最值得骄傲的一点。
在比拼主频的这段时间，不仅让对手再不敢小觑这个对手，也让消费者认识了AMD，市场份额虽然还处在绝对劣势，但是在很多的调查中，AMD已经一举超过Intel成为消费者最关心的CPU品牌。
接下来AMD发起了一系列的技术攻势，在Intel推出奔奔腾4在主频上与AMD拉开距离后，AMD极力宣传CPU效能概念，在稳住市场的同时还概念了消费者盯住主频的消费习惯，为以后的发展奠定了良好的基础。
2003年，AMD首先提出了64位的概念，打了Intel一个措手不及。
当时64位技术还仅限于高端服务器处理器产品，在民用领域推行64位技术，使AMD第一次作为技术领先者在竞争中取得主动。
Intel当时十分肯定地说，64位技术进入民用市场最少还要几年时间，但是1年后，面对市场趋势不得不匆忙宣布推出64位处理器。
在这次64位的比拼中，AMD无论在时间还是技术上都占有明显优势，可惜天公不作美，由于微软公司的拖沓比预计晚了一年半的时间才推出支持64位的操作系统，而此时Intel的64微处理器也“恰好”上市了，AMD得到了一片叫好声但是“票房”惨淡，所幸AMD也许早料到了这一点，其向下兼容的64位技术在32位应用中性能不俗，没有落得更大遗憾。
在64位没有取得先机的Intel，在双核处理器上再下文章，领先AMD一个月推出双核产品。
AMD现在早已不是当初那个跟在人后的小公司，在推出自己的双核产品后，抛出了真假双核的辩论。
更令业界震惊的是2005年6月底，AMD毅然把Intel告上了法庭，直指对手垄断行业。
对于这场官司的胜负暂且不论，AMD的这种态度已经说明了一切，不再依靠跟随对手，不再依靠低价抢占市场，AMD现在要求的事平等，是站在同一赛场上的对手。
在法庭外的市场上，AMD再一次拿起了价格这柄利器。
在过去的几年中，由于主频竞争发展缓慢，因而Intel公司和AMD公司之间几乎没有进行过大幅度的降价竞争。
但是随着双核处理技术的发展，两家公司与业内的其他竞争对手都提高了生产的效率，产品价格重新成为了Intel公司与AMD公司争夺市场的主要战场。
市场调研机构Mercury Research公布的x86处理器市场2005年第一季调查。
结果表示Intel还是这个市场的头龙占市场81.7%，比上季下降0.5%，而AMD为16.9%上升了0.3%，在战斗中两个对手都在不断成长，似乎AMD要走的路还要更远一点。
产品对比AMD与Intel的产品线概述AMD目前的主流产品线按接口类型可以分成两类，分别是基于Socket 754接口的中低端产品线和基于Socket 939接口的中高端产品线；而按处理器的品牌又分为Sempron、Athlon 64、Opteron系列，此外还有双核的Athlon 64 X2系列，其中Sempron属于低端产品线，Athlon 64，Opteron和Athlon 64 X2属于中高端产品线。
这样看来，AMD家族同一品牌的处理器除了接口类型不同之外，同时还存在着多种不同的核心，这给消费者带来了不小的麻烦。
可以说AMD现在的产品线是十分混乱的。
与AMD复杂的产品线相比，Intel的产品线可以说是相当清晰的。
Intel目前主流的处理器都采用LGA 775接口，按市场定位可以分成低端的Celeron D系列、中端的Pentium 4 5xx系列和高端的Pentium 4 6xx系列、双核的Pentium D系列。
除了Pentium D处理器以外，其他目前在市面上销售的处理器都是基于Prescott核心，主要以频率和二级缓存的不同来划分档次，这给了消费者一个相当清晰的印象，便于选择购买。
（鉴于目前市场上销售的CPU产品都已经全面走向64位，32位的CPU无论在性能或者价格上都不占优势，因此我们所列举的CPU并不包括32位的产品。
同样道理，AMD平台的Socket A接口和Intel的Socket 478接口的产品都已经在两家公司的停产列表之上，而AMD的Athlon 64 FX系列和Intel的Pentium XE/EE系列以及服务器领域的产品也不容易在市面上购买到，因此也不在本文谈论范围之内。
）2. AMD与Intel产品线对比双核处理器可以说是2005年CPU领域最大的亮点。
毕竟X86处理器发展到了今天，在传统的通过增加分支预测单元、缓存的容量、提升频率来增加性能之路似乎已经难以行通了。
因此，当单核处理器似乎走到尽头之际， Intel、AMD都不约而同地推出了自家的双核处理器解决方案：Pentium D、Athlon 64 X2！所谓双核处理器，简单地说就是在一块CPU基板上集成两个处理器核心，并通过并行总线将各处理器核心连接起来。
双核其实并不是一个全新概念，而只是CMP(Chip Multi Processors，单芯片多处理器)中最基本、最简单、最容易实现的一种类型。
处理器协作机制：AMD Athlon 64 X2 Athlon 64 X2其实是由Athlon 64演变而来的，具有两个Athlon 64核心，采用了独立缓存的设计，两颗核心同时拥有各自独立的缓存资源，而且通过“System Request Interface”（系统请求接口，简称SRI）使Athlon 64 X2两个核心的协作更加紧密。
SRI单元拥有连接到两个二级缓存的高速总线，如果两个核心的缓存数据需要同步，只须通过SRI单元完成即可。
这样子的设计不但可以使CPU的资源开销变小，而且有效的利用了内存总线资源，不必占用内存总线资源。
Pentium D 与Athlon 64 X2一样，Pentium D两个核心的二级高速缓存是相互隔绝的，不过并没有专门设计协作的接口，而只是在前端总线部分简单的合并在一起，这种设计的不足之处就在于需要消耗大量的CPU周期。
即当一个核心的缓存数据更改之后，必须将数据通过前端总线发送到北桥芯片，接着再由北桥芯片发往内存，而另外一个核心再通过北桥读取该数据，也就是说，Pentium D并不能像Athlon 64 X2一样，在CPU内部进行数据同步，而是需要通过访问内存来进行同步，这样子就比Athlon 64 X2多消耗了一些时间。
二级缓存对比：二级缓存对于CPU的处理能力影响不小，这一点可以从同一家公司的产品线上的高低端产品当中明显的体现出来。
二级缓存做为一个数据的缓冲区，其大小具有相当重大的意义，越大的缓存也就意味着所能容纳的数据量越多，这就大大地减轻了由于总线与内存的速度无法配合CPU的处理速度，而浪费了CPU的资源。
事实上也证明了，较大的高速缓存意味着可以一次交换更多的可用数据，而且还可以大大降低高速缓存失误情况的出现，以及加快数据的访问速度，使整体的性能更高。
就目前而言，AMD的CPU在二级高速缓存的设计上，由于制造工艺的原因，还是比较小，高端的最高也只达到2M，不少中低端产品只有512K，这对于数据的处理多多少少会带来一些不良的影响，特别是处理的数据量较大的时候。
Intel则相反，在这方面比较重视，如Pentium D核心内部便集成了2M的二级高速缓存，这在处理数据的时候具有较大的优势，在高端产品中，甚至集成4M的二级高速缓存，可以说是AMD的N倍。
在一些实际测试所得出来的数据也表明，二级缓存较大的Intel分数要高于二级缓存较小的AMD不少。
内存架构对比：由Athlon 64开始，AMD便开始采用将内存控制器集成于CPU内核当中的设计，这种设计的好处在于，可以缩短CPU与内存之间的数据交换周期，以前都是采用内存控制器集成于北桥芯片组的设计，改成集成于CPU核心当中，这样一来CPU无需通过北桥，直接可以对内存进行访问操作，在有效的提高了处理效率的同时，还减轻了北桥芯片的设计难度，使主板厂商节约了成本。
不过这种设计在提高了性能的同时，也带来了一些麻烦，一个是兼容性问题，由于内存控制器集成于核心之内，不像内置于北桥芯片内部，兼容性较差，这就给用户在选购内存的时候带来一些不必要的麻烦。
除了内存兼容性较差之外，由于采用核心集成内存控制器的缘故，对于内存种类的选择也有着很大的制约。
就现在的内存市场上来看，很明显已经像DDR2代过渡，而到目前为止Athlon 64所集成的还只是DDR内存控制器，换句话说，现有的Athlon 64不支持DDR2，这不仅对性能起到了制约，对用户选择上了造成了局限性。
而Intel的CPU却并不会有这样子的麻烦，只需要北桥集成了相应的内存控制器，就可以轻松的选择使用哪种内存，灵活性增强了不少。
还有一个问题，如若用户采用集成显卡时，AMD的这种设计会影响到集成显卡性能的发挥。
目前集成显卡主要是通过动态分配内存做为显存，当采用AMD平台时，集成在北桥芯片当中的显卡核心需要通过CPU才能够对内存操作，相比直接对内存进行操作，延迟要长许多。
平台带宽对比：随着主流的双核处理器的到来，以及945、955系列主板的支持，Intel的前端总线将提升到1066Mhz，配合上最新的DDR2 667内存，将I/O带宽进一步提升到8.5GB/S，内存带宽也达到了10.66GB/S，相比AMD目前的8.0GB/S（I/O带宽）、6.4GB/S（内存带宽）来说，Intel的要远远高出，在总体性能上要突出一些。
功耗对比：在功耗方面，Intel依然比较AMD的要稍为高一些，不过，近期的已经有所好转了。
Intel自推出了Prescott核心，由于采用0.09微米制程、集成了更多的L2缓存，晶体管更加的细薄，从而导致漏电现象的出现，也就增加了漏电功耗，更多的晶体管数量带来了功耗及热量的上升。
为了改进Prescott核心处理器的功耗和发热量的问题，Intel便将以前应用于移动处理器上的EIST（Enhanced Intel Speedstep Technolog）移植到目前的主流Prescott核心CPU上，以保证有效的控制降低功耗及发热量。
而AMD方面则加入了Cool ‘n’ Quiet技术，以降低CPU自身的功耗，其工作原理与Intel的SpeedStep动态调节技术相似，都是通过调节倍频等等来实现降低功耗的效果。
实际上，Intel的CPU功率之所以目前会高于AMD，其主要的原因在于其内部集成的晶体管远远要比AMD的CPU多得多，再加上工作频率上也要比AMD的CPU高出不少，这才会变得功率较大。
不过在即将来临的Intel新一代CPU架构Conroe，这个问题将会得到有效的解决。
其实Conroe是由目前的Pentium M架构变化而来的，它延续了Pentium M的绝大多数优点，如功耗更加低，在主频较低的情况下已然能够获得较好的性能等等这些。
可以看出，未来Intel将把移动平台上的Conroe移植到桌面平台上来，取得统一。
流水线对比：自踏入P4时代以来，Intel的CPU内部的流水线级要比AMD的高出一些。
以前的Northwood和Willamette核心的流水线为20级，相对于当时的PIII或者Athlon XP的10级左右的流水线来说，增长了几乎一倍。
而目前市场上采用Proscott核心CPU流水线为31级。
很多人会有疑问，为何要加长流水线呢？其实流水线的长短对于主频影响还是相当大的。
流水线越长，频率提升潜力越大，若一旦分支预测失败或者缓存不中的话，所耽误的延迟时间越长，为此在Netburst架构中，Intel将8级指令获取/解码的流水线分离出来，而Proscott核心有两个这样的8级流水线，因此严格说起来，Northwood和Willamette核心有28级流水线，而Proscott有39级流水线，是现在Athlon 64(K8)架构流水线的两倍。
相信不少人都知道较长流水线不足之处，不过，是否有了解过较长流水线的优势呢？在NetBurst流水线内部功能中，每时钟周期能够处理三个操作数。
这和K7/K8是相同的。
理论上，NetBurst架构每时钟执行3指令乘以时钟速度，便是最后的性能，由此可见频率至上论有其理论基础。
以此为准来计算性能的话，则K8也非NetBurst对手。
不过影响性能的因素有很多，最主要的就是分支预测失败、缓存不中、指令相关性三个方面。
这三个方面的问题每个CPU都会遇到，只是各种解决方法及效果存在着差异而已。
而NetBurst天生的长流水线既是它的最大优势，也是它的最大劣势。
如果一旦发生分支预测失败或者缓存不中的情况，Prescott核心就会有39个周期的延迟。
这要比其他的架构延迟时间多得多。
不过由于其工作主频较高，加上较大容量的二级高速缓存在一定程度上弥补了NetBurst架构的不足之处。
不过流水线的问题在Intel的新一代CPU架构Conroe得到了较好的解决，这样子以来，大容量的高速缓存，以及较低的流水线，配合双核心设计，使得未来的Intel CPU性能更加优异。
“真假双核”在双核处理器推广的过程中，我们听到了一些不和谐的音符：AMD宣扬自己的双核Opteron和Athlon-64 X2才符合真正意义上的双核处理器准则，并隐晦地表示Intel双核处理器只是“双芯”，暗示其为“伪双核”，声称自己的才是“真双核”，真假双核在外界引起了争议，也为消费者的选择带来了不便。
AMD认为，它的双核之所以是“真双核”，就在于它并不只是简单地将两个处理器核心集成在一个硅晶片（或称DIE）上，与单核相比，它增添了“系统请求接口”（System Request Interface，SRI）和“交叉开关”（Crossbar Switch）。
它们的作用据AMD方面介绍应是对两个核心的任务进行仲裁、及实现核与核之间的通信。
它们与集成的内存控制器和HyperTransport总线配合，可让每个核心都有独享的I/O带宽、避免资源争抢，实现更小的内存延迟，并提供了更大的扩展空间，让双核能轻易扩展成为多核。
与自己的“真双核”相对应，AMD把英特尔已发布的双核处理器——奔腾至尊版和奔腾D处理器采用的双核架构称之为“双芯”。
AMD称，它们只是将两个完整的处理器核心简单集成在一起，并连接到同一条带宽有限的前端总线上，这种架构必然会导致它们的两个核心争抢总线资源、从而影响性能，而且在英特尔这种双核架构上很难添加更多处理器核心，因为更多的核心会带来更为激烈的总线带宽争抢。
而根据前面我们提到CMP的概念，笔者认为英特尔和AMD的双核处理器，以及它们未来的多核处理器实际上都属于CMP架构。
而对双核处理器的架构或标准，业界并无明确定义，称双核处理器存在“真伪”纯属AMD的一家之言，是一种文字游戏，有误导消费者之嫌。
目前业界对双核处理器的架构并没有共同标准或定义，自然也就没有什么真伪之分。
CMP的原意就是在一个处理器上集成多个处理器核心，在这一点上AMD与英特尔并无分别，不能说自己的产品集成了仲裁等功能就是“真双核”，更没有理由称别人的产品是“双芯”或“伪双核”。
此外在不久前AMD举办的“我为双核狂”的活动中，有不少玩家指出，AMD的双核处理器在面对多任务环境下，无法合理分配CPU运算资源，导致运行同样的程序却会得到不同的时间，AMD的双核并不稳定。
从不少媒体的评测还可以看到，AMD的双核在单程序运行的效率要高于Intel处理器，但是在多任务的测试中则全面落后！由此可见，对于真假双核之说，笔者认为只是一种市场的抄作，并不是一种客观的性能表现。
从真正的双核应用上来看（双核的发展主要是由于各种程序的同时运行，即多程序同时运行的要求），Intel的双核更符合多程序的发展需求。
高性能的基石——Intel及AMD平台对比二、高性能的基石——Intel及AMD平台对比看完上面的介绍，我们可以看到无论Intel还是AMD都提供了丰富的产品，而至于二者在处理器架构上的优劣毕竟不是片言只字可以言明，也不可以片面的说谁的架构更为优胜，因为二者都有各自的优势之处，也有其不足。
但无论如何，对于CPU来说，一个产品优秀与否，性能如何，都必须要有其发挥的平台，接下来，我们来看看两家产品的主流平台。
1. 平台对比之Intel篇在刚过去的2005年中，Intel处理器在产品规格与规划两方面对整个芯片技术的发展都做出了巨大的贡献，对用户的最终选择有着直接的影响。
首先，尽管LGA775接口较脆弱的问题曾一度过引发争议，但桌面级CPU从Socket 478向LGA 775过渡已是不可逆转；其次，处理器的FSB频率再一次被拉高，1066MHz已成为新一代处理器的标准；再次，双核CPU的上市引发了不小的轰动，普及也只是时间的问题。
与之对应，第一代LGA 775接口芯片组——Intel 915/925系列已是昨日黄花，945/955系列已经作为新的主流取而代之。
集成HD音效技术、双通道DDR2内存架构、千兆网卡、SATA2技术，RAID5等一系列过去只能在高端主板上才有的技术现在已经成为标准配置。
在PCI-E显卡接口已经成为市场主流的时候，市场上有了更多的厂商加入其中，Intel芯片组一家独大的情况已经有所改变，NVIDIA和ATI都推出了相应产品，功能规格毫不逊色；VIA和SIS等台系厂商也有其“特色产品”，市场空前繁荣。
Intel Intel处理器搭配Intel芯片组一向是DIYer的首选。
2005年，Intel沿袭了其一贯的特点：新品推出速度快，档次定位明确，新技术大量使用等等。
目前Intel的高端桌面芯片组当属955X和975X系列，作为高端产品，955X具备了945系列的主要功能，但抛弃了过时的533MHz FSB。
加之其支持8GB内存、ECC校验技术和内存加速技术，这些特点令其与主流产品拉开了距离。
975X则是955X的加强版，可以完美支持Intel所有桌面处理器，包括Pentium EE。
更重要的是支持双PCI-E 8X显卡并行技术。
925X/XE是上一代的高端产品，但由于缺乏对双核心的支持，令其瞬间失势。
主流市场一向是Intel的中流砥柱。
945系列是其巩固这一市场的利器，包括945P/PL/G/GZ等型号，分别用于不同需求的用户。
945系列支持FSB 533-1066的处理器，包括Celeron D、Pentium 4和Pentium D等在内的Intel主流CPU，945系列已全面转向DDR2，并支持Intel Flex Memory技术，可使不同容量的内存构成双通道模式，兼容性得以提高。
随着945系列的大量铺货，曾经的主流产品915系列不可避免的被推到低端市场。
915系列包括915P/PL/G/GV/GL五种型号，针对不同的用户，但目前该系列产品存在不同程度的缺货，售价与945系列相差也不是太大，而且也传言Intel即将将其停产，故不推荐购买。
NVIDIA目前NVIDIA发布的Intel平台的芯片组有NF4 SLI IE，NF4 SLI XE，NF4 Ultra等几款，都是作为中高端产品出现在市场的，其中的NF4 SLI IE更是第一个把NVIDIA在AMD平台上无限风光的SLI技术引入了INTEL平台，让INTEL平台也能实现双显卡运作的模式。
而更具革命性的是，NF4 SLI IE芯片组在打开双显卡模式的时候，能够运行在PCI-E 16X+16X的高显示带宽之上，性能提升效果更加明显。
这样的技术优势，即便是说AMD平台上的NF4 SLI芯片组也已经难以实现（NF4 SLI只能打开PCI-E 8X+8X的带宽），缺乏技术授权的众INTEL芯片组更是无可奈何。
ATI目前ATI在Intel平台的主力芯片组是Radeon Xpress 200 For Intel platforms系列，而支持交火技术的Radeon Xpress 200 CrossFire则定位高端。
Radeon Xpress 200 For Intel platforms芯片组的主板采用南北桥分离设计，包括RS400、RC400、RC410和RXC410四款产品。
北桥集成X300显示核心，并具备Intel平台的几乎所有主流技术支持，兼容性十分强大。
Radeon Xpress 200 CrossFire在Intel平台的产品称作RD400，基本架构与RS400相仿，最大的特点是支持ATI的CrossFire显卡并行技术。
但ATI的自家的南桥功能有限，众多厂商会采用ULi M1573/1575替代作为折衷方案。
VIA、SIS VIA和SiS在Intel平台也是有相当资历的元老级芯片组生产商，二者主要为Intel平台提供中低端的产品。
VIA目前在Intel平台的主要产品有PT880 PRO和PT894，集成显卡的最新产品为P4M890。
SiS则提供SiS 656/649等产品。
2. 平台对比之AMD篇随着K7核心退出历史舞台，K8处理器已经顺利完成过渡。
与此同时，Socket 754和Socket 939平台也发生着分化——Socket939定位于主流桌面和入门级服务器市场，Socket 754则定位于低端平台。
与之搭配的芯片组延续着显示核心市场的明争暗斗——NVIDIA于ATI的大战愈演愈烈，加上久经沙场的VIA和SiS，AMD处理器配套芯片组市场从未如此热闹。
NVIDIANVIDIA是AMD平台中芯片组最多的一家厂商，从集成显示核心的入门级产品到支持显卡并行技术的高端产品都可以找到NVIDIA的身影。
可以说NVIDIA芯片组是AMD平台中占绝大部分市场份额的产品，也是众多DIYer眼中AMD处理器的最佳搭档。
目前NVIDIA在AMD平台的芯片组包括NF4-4X、NF4标准版、NF4 Ultra、NF4 SLI以及整合图形核心的C51系列。
其中NF4-4X主要采用Socket 754接口，针对低端及入门级用户，主要搭配Socket 754接口的Sempron和Athlon 64处理器。
NF4 Ultra和NF4 SLI则主要采用Socket 939接口，针对中高端用户。
其中部分产品更是用料十足，配置豪华，是骨灰级玩家的选择。
C51系列包括C51G（GeForce 6100）和C51PV（GeForce 6150）两种北桥芯片，搭配nForce 410 MCP和nForce 430 MCP两种南桥，为AMD提供整合显示芯片的主板。
其集成的显示芯片性能已经不再是鸡肋，紧跟主流显卡脚步。
ATIATI作为NVIDIA在显卡市场的主要竞争对手，在AMD平台中的角色也非常强，但竞争力就要比在显卡市场下降不少。
作为对NVIDIA SLI技术的回应，ATI推出了Crossfie芯片组与之抗衡，而且其双显卡并行的限制比SLI要宽松很多， Crossfie技术对游戏的兼容性很好，几乎每款游戏都可以从中获得性能提升。
但目前在市面上可以买到的Crossfie主板远没有SLI的多，ATI在这方面推广力度似乎不够。
此外在中低端市场，ATI提供了Radeon Xpress 200系列，包括整合显示核心的RS480/482和采用独立显卡的RX480，支持单PCI-E x16显卡插槽，支持两个以上的SATA接口，支持千兆网卡，性能中规中举。
平台综述目前市场上Intel和AMD平台的主要产品都已经略为介绍，我们可以看到，AMD处理器目前使用的芯片组绝大多数由其合作伙伴设计，比如nVidia、ATI、VIA等等，他们设计好后再找其他企业代工生产。
这样一来，AMD在实际的市场操作方面就有很多困难，比如说在平台的整体价格控制方面无法做到统一调控，另外很可能会出现主板供应跟不上CPU的市场出货率，或者大于CPU的供应量等等。
虽然AMD本身也有配合自己产品的平台，但是高昂的成本、不实用的功能也只能使它成为评测室中的一道风景。
从另外一个角度看，AMD的主流处理器产品拥有Socket 754和Socket 939两个平台，而在两个平台的产品针对不同的消费者
